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高效電池生產(chǎn)設(shè)備 高效電池生產(chǎn)設(shè)備
高效電池生產(chǎn)設(shè)備
包含晶硅電池PERC/TOPCon低壓硼擴(kuò)散設(shè)備、BC電池背激光微處理設(shè)備以及鈣鈦礦電池新技術(shù)等。

詳細(xì)介紹

晶硅電池PERC/TOPCon設(shè)備

·低壓硼擴(kuò)散設(shè)備:TOPCon已成為N型電池產(chǎn)業(yè)化推廣的主流技術(shù)路線之一,硼擴(kuò)散主要用于電池制造中正面制作PN結(jié),屬于關(guān)鍵制程之一。


·低壓擴(kuò)散/氧化退火爐:低壓擴(kuò)散是目前被認(rèn)為有效提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率一種有效途徑,提高了擴(kuò)散源的分子自由程,解決了擴(kuò)散深度和均勻性的問題;相比常壓擴(kuò)散體現(xiàn)了一些顯著的優(yōu)勢特性,比如高產(chǎn)能、高方阻、工藝重復(fù)性、低源消耗、潔凈環(huán)保等,主要用于晶體硅太陽電池制造中硅片的擴(kuò)散摻雜與氧化退火工藝。


·LPCVD/PE-POLY:適用于半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域,針對于光伏領(lǐng)域TOPCon/BC工藝電池,LPCVD設(shè)備在電池背面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層多晶硅薄層,超薄氧化層可以使多子電子隧穿進(jìn)入多晶硅層,同時(shí)阻擋少子空穴復(fù)合,從而電子在多晶硅層橫向傳輸被金屬收集,最終極大地降低了金屬接觸復(fù)合電流。


·PECVD:在硅片表面淀積一層厚度約為75-140nm的減反射氨化硅膜(SixNy),同時(shí)利用在淀積過程中產(chǎn)生的活性H+離子,對硅片表面和內(nèi)部進(jìn)行鈍化處理。在體現(xiàn)減少光反射的同時(shí),也提高了硅片的少子壽命,最終直接體現(xiàn)在晶體硅電池的轉(zhuǎn)換效率,主要用在PERC/TOPCon電池正背面氨化硅膜生長。


·原子層沉積鍍膜設(shè)備(ALD):自主研發(fā)設(shè)計(jì)大產(chǎn)能管式ALD沉積設(shè)備,提供超薄高質(zhì)量介電膜SnOx、AIOx、NiOx、ZnOx以應(yīng)用于高效太陽能電池的制造,并搭配自動(dòng)化提供穩(wěn)定可靠的設(shè)備運(yùn)行。

 

BC電池設(shè)備

·XBC激光開膜設(shè)備:應(yīng)用于BC電池上的激光開膜工藝技術(shù),使用超快激光搭配平頂整形光斑,為制備叉指狀間隔排列的P區(qū)和N區(qū)進(jìn)行掩膜的圖形化加工,以實(shí)現(xiàn)定域摻雜功能。


·激光優(yōu)化接觸設(shè)備:應(yīng)用于TOPCon電池柵線電極接觸改善的工藝技術(shù),位于絲網(wǎng)線光注入之后,通過匹配專用漿料,降低燒結(jié)峰值溫度,降低對鈍化層的損傷以及復(fù)合,之后加入LOC制程優(yōu)化改善接觸。可有效改善開路電壓和填充因子,提升光電轉(zhuǎn)換效率,增益在0.3%以上。


·背激光微處理設(shè)備:應(yīng)用于TOPCon電池背面poly層上的微處理工藝技術(shù),包含激光誘導(dǎo)改質(zhì)和激光誘導(dǎo)非晶化兩種工藝,可改善電池背面的接觸性能以及降低長波長的光寄生吸收,提升光電轉(zhuǎn)換效率,增益在0.1~0.2%。

 

鈣鈦礦電池設(shè)備

·鈣鈦礦激光刻劃機(jī)(中試機(jī)型):適用于實(shí)驗(yàn)室科研/研發(fā)前期階段的小幅面鈣鈦礦電池產(chǎn)品激光工序驗(yàn)證,從而過渡向大尺寸量產(chǎn)線技術(shù)轉(zhuǎn)移。


·鈣鈦礦激光刻劃機(jī)(量產(chǎn)機(jī)型):適用于鈣鈦礦、CIGS、CdTe、變色玻璃等薄膜電池P0打標(biāo)、P1/P2/P3激光刻劃、P4激光絕緣清邊以及激光BIPV透光。


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